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分立半导体
IPB025N10N3GATMA1参考图片

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IPB025N10N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥49.4036
49.4036
10
¥42.036
420.36
100
¥36.4199
3641.99
250
¥34.578
8644.5
1,000
¥26.1256
26125.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
G IPB025N10N3 IPB25N1N3GXT SP000469888
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB025N10N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N1203R
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥221.9094
250:¥203.9311
参考库存:38254
1N4133UR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
249:¥31.7304
250:¥28.589
500:¥25.6623
1,000:¥21.6734
参考库存:38259
1N1345C
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥214.3045
250:¥196.7104
参考库存:38264
FFM203
Rectron
分立半导体
整流器 GP Fast Rec Si Rect SMB,2A,200V
6,000:¥0.54579
参考库存:38269
JAN1N5306UR-1
Microsemi
分立半导体
稳流二极管 Current Regulator
100:¥298.2183
250:¥278.3868
参考库存:38274

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