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分立半导体
PD85025TR-E参考图片

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PD85025TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥219.9884
219.9884
5
¥217.7623
1088.8115
10
¥202.9367
2029.367
25
¥193.8628
4846.57
600
¥157.3638
94418.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15.7 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
9.4 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
7.5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85025TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
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1:¥7.2207
10:¥5.9099
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1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
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1:¥10.7576
10:¥9.2208
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500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
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1:¥2.8476
10:¥1.7854
100:¥0.7684
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.45313
参考库存:42651
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    50万现货SKU

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