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分立半导体
SI5902BDC-T1-GE3参考图片

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SI5902BDC-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.4523
645.23
500
¥5.5596
2779.8
1,000
¥4.3844
4384.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.12 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI54
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,SI5902BDC-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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12,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
参考库存:35557
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