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分立半导体
E3M0120090D参考图片

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E3M0120090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
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1
¥55.6299
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
155 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
17.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
97 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
7.7 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
27 ns
商品其它信息
优势价格,E3M0120090D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
1:¥45.0305
10:¥38.2618
100:¥33.1994
250:¥31.4253
500:¥28.2048
参考库存:2714
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
20,000:¥0.17628
40,000:查看
参考库存:116106
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 38A TO247-3
1:¥51.641
10:¥46.6464
25:¥44.4881
100:¥38.646
参考库存:2753
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 60V
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:33025
分立半导体
IGBT 模块 600V 75A DUAL
1:¥491.6969
5:¥480.7133
10:¥461.9666
25:¥447.0506
参考库存:2002
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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