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分立半导体
BSC16DN25NS3 G参考图片

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BSC16DN25NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6388
3819.4
5,000
¥5.6839
28419.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
10.9 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GXT SP000781782
商品其它信息
优势价格，BSC16DN25NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5236C-E3-08
Vishay Semiconductors
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1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:29918
BAS16D-HE3-18
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二极管 - 通用，功率，开关 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
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MMBZ5239B-HE3-08
Vishay Semiconductors
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1:¥1.921
10:¥1.6724
100:¥0.70738
500:¥0.59212
3,000:¥0.32996
6,000:查看
参考库存:29928
BZX84B4V3-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 4.3Volt 0.35Watt 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:29933
MMBZ5239B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.6724
100:¥0.70738
500:¥0.59212
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:29938

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