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分立半导体
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QPD1013SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
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数量单价合计
1
¥1,352.384
1352.384
25
¥1,169.663
29241.575
100
¥1,011.6777
101167.77
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
21.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
1.7 A
输出功率
178 W
最大漏极/栅极电压
65 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
67 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置
Single Triple Drain
工作频率
1.2 GHz to 2.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1013EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1013SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
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SCR Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3
100:¥129.9387
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分立半导体
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4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8025
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22,500:¥2.2261
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分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:32528
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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