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分立半导体
SIHB100N60E-GE3参考图片

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SIHB100N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:8,776(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1884
39.1884
10
¥32.431
324.31
100
¥26.7358
2673.58
250
¥25.8996
6474.9
500
¥23.2102
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
优势价格,SIHB100N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A 20V AEC-Q101
1:¥5.4579
10:¥4.0228
100:¥2.7459
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:54515
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 500mW 2%
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:54520
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 22v
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥0.90626
1,000:¥0.32996
5,000:¥0.29154
参考库存:54525
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 410mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥0.92208
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29945
参考库存:54530
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 200mW 5%
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥0.9831
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.31527
参考库存:54535
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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