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分立半导体
IRFH5302TRPBF参考图片

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IRFH5302TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
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数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3675
536.75
500
¥4.746
2373
4,000
¥3.3222
13288.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001575636
商品其它信息
优势价格，IRFH5302TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥992.2304
30:¥971.3367
参考库存:36032

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