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分立半导体
IPB019N08N3 G参考图片

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IPB019N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥43.5728
43.5728
10
¥37.0414
370.414
100
¥32.0468
3204.68
250
¥30.4309
7607.725
1,000
¥23.052
23052
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
103 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
73 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
86 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
IPB019N08N3GATMA1 IPB19N8N3GXT SP000444110
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB019N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZV55C68 L0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 68v
1:¥1.7628
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:52014
MMSZ5229B RHG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 4V3
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥0.89948
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.32318
参考库存:52019
HER307GA-G
Comchip Technology
分立半导体
整流器 RECT 3A 800V
1:¥4.7686
10:¥3.4917
100:¥2.3843
1,200:¥1.6498
2,400:¥1.4012
参考库存:52024
BC546B A1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.96841
1,000:¥0.32318
4,000:¥0.26894
8,000:查看
参考库存:52029
UDZS13B RRG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 200mW 13V
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥0.9831
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.31527
参考库存:52034

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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