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分立半导体
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IPD640N06L G

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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.2262
42.262
100
¥2.7233
272.33
1,000
¥2.1809
2180.9
2,500
¥1.8419
4604.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD640N06LGBTMA1 IPD64N6LGXT SP000443766
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD640N06L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP4065SQ-13
Diodes Incorporated
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MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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3,000:¥0.62263
9,000:¥0.5537
24,000:¥0.52206
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参考库存:44876
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暂无价格
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Diodes Incorporated
分立半导体
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3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
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AFT18S290-13SR3
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
250:¥908.1697
参考库存:44888

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