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分立半导体
AFT18S290-13SR3参考图片

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AFT18S290-13SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
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数量单价合计
250
¥908.1697
227042.425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.2 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-880XS-2L4S
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1995 MHz
系列
AFT18S290_13S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
263 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935317893128
单位重量
9.734 g
商品其它信息
优势价格，AFT18S290-13SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SCS215AJTLL
ROHM Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SiC, SBD 650V 15A D2PAK
1:¥45.3356
10:¥38.4991
100:¥33.3463
250:¥31.6626
500:¥28.4308
1,000:¥23.9786
参考库存:6125
TIP35CP
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary power transistors
1:¥20.1366
10:¥17.1308
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:5897
STGIPS10K60A
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 IGBT IPM 10A 600 V SDIP25L molded
1:¥83.2132
10:¥76.5349
25:¥73.3031
100:¥64.6247
参考库存:2709
SZ1SMB5919BT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN SMB REG 3W
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,500:¥1.7176
参考库存:27931
1N5253A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥48.1832
10:¥38.7251
100:¥35.2673
250:¥31.8095
参考库存:4208

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