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分立半导体
SMBT3904E6327XT参考图片

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SMBT3904E6327XT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A
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数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.49946
49.946
1,000
¥0.32996
329.96
3,000
¥0.25312
759.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
200 mA
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
3904 E6327 SMBT SMBT3904E6327HTSA1 SP000011673
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SMBT3904E6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMS5P02R2G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET -20V -5.4A P-Channel
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥1.8758
参考库存:74082
BUK9Y12-100E,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥10.2943
10:¥8.8366
100:¥6.7348
500:¥5.9551
1,000:¥4.7008
1,500:¥4.7008
参考库存:20289
FDD3N50NZTM
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET UNIFET2 500V
1:¥6.3732
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.4521
参考库存:25271
ZXMP6A17GTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 60V P-Chnl UMOS
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:65898
BT145-800R,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
SCR 25A 800V
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:28075

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