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分立半导体
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FDD3N50NZTM

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库存:25,271(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.311
53.11
100
¥3.4239
342.39
1,000
¥2.7459
2745.9
2,500
¥2.4521
6130.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD3N50NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.9 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD3N50NZTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 1000 Volt 120 Amp IFSM
1:¥8.1473
10:¥7.458
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1:¥21.7412
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2944
5,000:¥9.1417
10,000:查看
参考库存:28987
分立半导体
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1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:6984
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二极管 - 通用,功率,开关 600V VR 5A IO TO-252(DPAK); TO-252
1:¥7.9891
10:¥6.8704
100:¥5.2771
500:¥4.6669
2,500:¥3.2657
10,000:查看
参考库存:29571
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Very High Volt NPN 1400V 200mA PWR Tran
1:¥6.6896
10:¥5.7065
100:¥4.3844
500:¥3.8759
1,000:¥3.0623
参考库存:4713
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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