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分立半导体
IKZ75N65ES5XKSA1参考图片

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IKZ75N65ES5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control l
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数量单价合计
1
¥61.3929
61.3929
10
¥55.5508
555.508
25
¥52.9405
1323.5125
100
¥45.9458
4594.58
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.42 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKZ75N65ES5 SP001602592
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IKZ75N65ES5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQP50N06L
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8026
参考库存:9902
IRFPS40N50LPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥85.2133
10:¥77.4502
25:¥71.6194
50:¥67.7774
参考库存:3359
MMBF4118
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
JFET N-Channel Switch
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:31466
NSS60200LT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:133478
B350B-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 50V 3A
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:9005

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