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分立半导体
IKZ75N65ES5XKSA1参考图片

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IKZ75N65ES5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control l
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数量单价合计
1
¥61.3929
61.3929
10
¥55.5508
555.508
25
¥52.9405
1323.5125
100
¥45.9458
4594.58
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.42 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKZ75N65ES5 SP001602592
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IKZ75N65ES5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GDZ16B-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 16volt 0.2watt 2%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:77023
IPW65R065C7
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥61.246
10:¥55.4039
25:¥52.7936
100:¥45.878
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BC857C,235
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-13
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
10,000:¥0.14577
20,000:查看
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BSC016N04LSGATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.5259
5,000:¥7.1303
10,000:查看
参考库存:52184
VSSAF3M10HM3/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TMBS 100V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
1:¥4.0002
10:¥2.6894
100:¥1.8193
500:¥1.4577
1,000:¥1.09836
3,500:¥1.00683
参考库存:54391

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