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分立半导体
BSC016N04LSGATMA1参考图片

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BSC016N04LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
5,000
¥7.1303
35651.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
95 S
下降时间
9.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSC016N04LS BSC16N4LSGXT G SP000394801
单位重量
119.100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC016N04LSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7949DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.6786
10:¥10.5316
100:¥8.1473
500:¥7.1303
1,000:¥5.9099
3,000:¥5.9099
参考库存:46637
X00602MA 2AL2
STMicroelectronics
分立半导体
SCR 0.8 Amp 600 Volt
1:¥3.2318
10:¥2.4634
100:¥1.3786
1,000:¥0.99892
2,000:¥0.92208
参考库存:38904
STP7NM80
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
参考库存:9371
IRF7834TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 19A 4.5mOhm 29nC
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
1,000:¥4.8703
4,000:¥4.8703
参考库存:24408
SI7430DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.5887
10:¥18.6676
100:¥15.368
250:¥14.9047
3,000:¥14.9047
参考库存:33195

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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