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分立半导体
BSC016N04LSGATMA1参考图片

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BSC016N04LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
5,000
¥7.1303
35651.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
95 S
下降时间
9.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSC016N04LS BSC16N4LSGXT G SP000394801
单位重量
119.100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC016N04LSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QH8KA2TCR
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
3,000:¥1.7402
参考库存:15303
V12P6-M3/86A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12A, 60V,TRENCH SKY RECT.
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.8363
1,500:¥2.5651
参考库存:53635
PSMN4R3-100ES,127
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 4.3 m std level MOSFET
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
参考库存:20097
VS-40MT160PBPBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 1600 Volt 40 Amp
1:¥281.2344
5:¥268.5558
10:¥260.1034
25:¥239.0515
参考库存:1504
NRVBM130LT3G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
12,000:¥1.02943
24,000:查看
参考库存:59011

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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