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分立半导体
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FDMS004N08C

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库存：51,774(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥15.8313
1583.13
250
¥15.0629
3765.725
3,000
¥10.8367
32510.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
126 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
FDMS004N08C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
106 mg
商品其它信息
优势价格，FDMS004N08C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-16CDH02HM3/I
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IGBT 晶体管 IGBT
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10:¥37.1883
25:¥33.5045
50:¥31.9677
参考库存:42091

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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