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分立半导体
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BD159G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.5A 350V 20W NPN
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¥3.3674
33.674
100
¥2.0566
205.66
1,000
¥1.582
1582
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
375 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD159
高度
11.1 mm
长度
7.8 mm
封装
Bulk
宽度
3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
212 mg
商品其它信息
优势价格，BD159G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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30:¥1,383.8093
50:¥1,383.7302
参考库存:33455

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