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分立半导体
BA779-HG3-08参考图片

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BA779-HG3-08

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库存:30,074(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.0001
20.001
100
¥1.1639
116.39
500
¥0.95259
476.295
3,000
¥0.63732
1911.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
30 V
最大二极管电容
0.5 pF
最大串联电阻(中频最大时)
50 Ohms
If - 正向电流
50 mA
Vf - 正向电压
1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
最小工作频率
10 MHz
最大工作频率
1 GHz
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
系列
BA779-G
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
端接类型
SMD/SMT
商标
Vishay Semiconductors
载流子寿命
4 us
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
BA779-V-GH-08
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BA779-HG3-08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:2062
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8815
1,000:¥2.3052
参考库存:44684
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
1:¥7.5258
10:¥6.2037
100:¥4.7573
500:¥4.0906
1,000:¥3.5934
4,500:¥3.5934
参考库存:24286
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥77.7666
10:¥70.0035
25:¥63.7772
50:¥59.3928
参考库存:2588
分立半导体
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:988470
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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