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分立半导体
IGW30N60TPXKSA1参考图片

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IGW30N60TPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.905
209.05
100
¥18.1365
1813.65
250
¥17.2099
4302.475
500
¥15.4471
7723.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
53 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW30N60TP SP001379674
单位重量
6.054 g
商品其它信息
优势价格，IGW30N60TPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B56S RRG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 56V
1:¥2.0792
10:¥1.8419
100:¥1.04525
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.33787
参考库存:35250
BZT52B30 RHG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 30V
1:¥2.0792
10:¥1.8419
100:¥1.04525
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.33787
参考库存:35255
BZX584B11 RSG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
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1:¥3.0736
10:¥2.2261
100:¥1.2882
1,000:¥0.54579
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:35260
SR002HR0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 0,5A,20V, AXIAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.0736
10:¥2.2261
100:¥1.2995
500:¥0.73789
5,000:¥0.54579
10,000:查看
参考库存:35265
HS3BBHR5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,100V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.0736
100:¥2.0905
500:¥1.1639
850:¥1.04525
参考库存:35270

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