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分立半导体
NVD5117PLT4G参考图片

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NVD5117PLT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V T1 PCH DPAK
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库存:63,738(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.5151
19.5151
10
¥16.5997
165.997
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
2,500
¥8.9157
22289.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
118 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NVD5117PL
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
132 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
195 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NVD5117PLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 500mW 19V 600 Ohm 0.1 uA 14 Vr
1:¥1.1526
10:¥0.9379
100:¥0.32996
1,000:¥0.23052
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:53669
分立半导体
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:7666
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥47.799
10:¥40.6461
100:¥35.2673
250:¥33.4254
500:¥29.9676
参考库存:4968
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mA PNP Epitaxial Silicon
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
8,000:¥0.35369
24,000:查看
参考库存:347500
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥287.924
5:¥275.0081
10:¥266.4088
25:¥244.7354
参考库存:4252
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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