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分立半导体
BAT42WS-E3-08参考图片

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BAT42WS-E3-08

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • 肖特基二极管与整流器 30Volt 200mA 4A IFSM
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.89157
89.157
500
¥0.71416
357.08
3,000
¥0.46104
1383.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
肖特基二极管与整流器
RoHS
产品
Schottky Diodes
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOD-323-2
If - 正向电流
200 mA
Vrrm - 重复反向电压
30 V
Vf - 正向电压
650 mV
Ifsm - 正向浪涌电流
4 A
配置
Single
技术
Si
Ir - 反向电流
100 uA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
BAT42WS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作温度范围
- 55 C to + 125 C
商标
Vishay Semiconductors
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
trr - 反向恢复时间
5 ns
单位重量
4.300 mg
商品其它信息
优势价格,BAT42WS-E3-08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 150V 85A 300W 21mohm @ 10V
1:¥41.7196
10:¥34.578
100:¥28.4308
250:¥27.5833
参考库存:5897
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥91.1345
10:¥83.7556
25:¥80.2978
100:¥70.7719
参考库存:5214
分立半导体
MOSFET 40V 195A 1.4mOhm HEXFET 366W 300nC
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
500:¥16.6788
参考库存:19416
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥58.8617
10:¥53.1778
25:¥50.7144
100:¥44.0248
参考库存:3988
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
3,000:¥4.3844
参考库存:17840
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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