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分立半导体
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FDB8860

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库存：15,624(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥14.5205
1452.05
500
¥12.7577
6378.85
800
¥10.5316
8425.28
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
254 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB8860
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
49 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
213 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FDB8860的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVP4525GTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET P-Chnl 250V
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
参考库存:21959
STGP19NC60HD
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:56116
IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-2
1:¥46.4091
10:¥39.4144
100:¥34.1938
250:¥32.431
1,000:¥24.5097
2,000:查看
参考库存:14975
MSE1PGHM3/89A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.0 Amp 400 Volt 20 Amp IFSM
1:¥3.2318
10:¥1.8306
100:¥0.9831
500:¥0.78422
4,500:¥0.46104
9,000:查看
参考库存:118467
IHW40N60RF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
1:¥35.2673
10:¥29.9676
100:¥25.9674
250:¥24.5888
500:¥22.0576
参考库存:3579

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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