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分立半导体
SUP85N15-21-E3参考图片

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SUP85N15-21-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V 85A 300W 21mohm @ 10V
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库存:5,897(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.7196
41.7196
10
¥34.578
345.78
100
¥28.4308
2843.08
250
¥27.5833
6895.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
170 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
170 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SUP85N15-21
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SUP85N15-21-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 350A 1.7mOhm 220nC Qg
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:7505
分立半导体
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
1:¥39.0302
10:¥33.1203
100:¥28.7359
250:¥27.2782
800:¥20.5886
2,400:查看
参考库存:5687
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 0.12A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:91639
分立半导体
整流器 ULTRAFAST RECOVERY DIODE
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥10.0683
500:¥8.7575
参考库存:18196
分立半导体
MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A
1:¥7.91
10:¥6.8026
100:¥5.2319
500:¥4.6217
1,000:¥3.6499
4,000:¥3.6499
参考库存:3763
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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