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分立半导体
TK39N60W,S1VF参考图片

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TK39N60W,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
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数量单价合计
1
¥79.9136
79.9136
25
¥65.54
1638.5
100
¥59.0877
5908.77
500
¥49.5618
24780.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK39N60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK39N60W,S1VF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-50WQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductors
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肖特基二极管与整流器 Schottky - D-PAK-e3
3,000:¥6.8252
参考库存:35643
BYV410X-600PQ
WeEn Semiconductors
分立半导体
整流器 BYV410X-600P/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL
5,000:¥3.5821
10,000:¥3.4465
25,000:¥3.3335
参考库存:35648
VIT4045C-M3/4W
Vishay Semiconductors
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肖特基二极管与整流器 40A 45V Dual TrenchMOS
2,000:¥9.5259
5,000:¥9.1417
10,000:¥8.8366
参考库存:35653
1N4487
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稳压二极管 Z MET 82V
250:¥47.2566
500:¥43.1095
1,000:¥37.4934
2,000:¥36.1148
参考库存:28561
VS-40HF100M
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肖特基二极管与整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥117.7912
300:¥107.4178
500:¥100.5022
1,000:¥92.208
参考库存:28566

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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