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分立半导体
TK39N60W,S1VF参考图片

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TK39N60W,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
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库存：1,151(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥79.9136
79.9136
25
¥65.54
1638.5
100
¥59.0877
5908.77
500
¥49.5618
24780.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK39N60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK39N60W,S1VF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N5306UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
100:¥299.5178
250:¥279.5394
参考库存:31640
JANSD2N2907A/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥587.826
100:¥575.5316
参考库存:31645
JANS1N4616-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥559.7794
100:¥548.0274
参考库存:31650
85CNQ015ASL
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 80 Amp 15 Volt Common Cathode
400:¥86.9083
800:¥81.2922
1,200:¥74.6139
参考库存:31655
JANS1N4112C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥952.2736
参考库存:31660

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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