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分立半导体
SIHG22N60E-E3参考图片

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SIHG22N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：10,066(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
10
¥28.5099
285.099
100
¥23.4362
2343.62
250
¥22.7469
5686.725
500
¥20.3626
10181.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG22N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
V10150C-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS
2,000:¥3.9776
参考库存:23299
ZMM5228B
Rectron
分立半导体
稳压二极管 0.5W 3.9V 5%
1:¥0.61472
25:¥0.53788
100:¥0.3842
250:¥0.30736
参考库存:23304
APT8014L2FLLG
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥357.9162
5:¥347.0908
10:¥336.8643
25:¥315.8915
参考库存:1575
V10DM150CHM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V 10A SMPD(TO-263AC)
1:¥8.8366
10:¥7.2659
100:¥5.5709
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,000:¥3.7855
参考库存:11557
STL11N3LLH6
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9381
500:¥4.3731
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:16384

  • 海量现货

    50万现货SKU

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