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分立半导体
BSC060P03NS3E G参考图片

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BSC060P03NS3E G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3
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库存：14,872(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
1,000
¥3.8081
3808.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
34 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
139 nS
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 nS
零件号别名
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC6P3NS3EGXT SP000472984
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC060P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5243B-T
Rectron
分立半导体
稳压二极管 DO-35 500mW Zener 1 3V 5%
30,000:¥0.1695
参考库存:44944
2N2218AL
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥69.7662
250:¥63.6981
500:¥59.6301
1,000:¥53.1778
参考库存:44949
1N5524B (DO35)
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Low Voltage Avalanche Zener
100:¥12.5995
500:¥10.9836
1,000:¥9.0626
2,500:¥8.4524
参考库存:44954
2N3420
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥132.6281
250:¥121.8705
500:¥112.2655
参考库存:44959
1N5227B-T
Rectron
分立半导体
稳压二极管 DO-35 500mW Zener 3 .6V 5%
30,000:¥0.1695
参考库存:44964

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