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分立半导体
APT25GT120BRG参考图片

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APT25GT120BRG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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库存:2,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥56.2514
56.2514
10
¥50.6353
506.353
25
¥46.104
1152.6
100
¥41.6518
4165.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
347 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT25GT120BRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
1:¥300.4444
5:¥285.2346
10:¥280.3869
25:¥254.1144
参考库存:36054
分立半导体
双向可控硅 0.8A Sensitive 双向可控硅
1:¥5.989
10:¥4.6217
100:¥3.503
500:¥2.9832
2,000:¥2.0114
10,000:查看
参考库存:36059
分立半导体
稳压二极管 500mW, 43V Zener Diode
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.20792
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
99,000:¥0.16159
参考库存:36064
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 500W 25.1V
1:¥122.0174
10:¥110.9547
25:¥102.6605
50:¥97.0444
参考库存:36069
分立半导体
桥式整流器 Dual Schottky Diode Bridge
1:¥47.0984
10:¥42.3411
100:¥34.7362
250:¥32.5779
2,000:¥23.7413
4,000:查看
参考库存:36074
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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