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分立半导体
BSZ067N06LS3GATMA1参考图片

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BSZ067N06LS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.571
75.71
100
¥5.8195
581.95
500
¥5.1415
2570.75
5,000
¥3.6047
18023.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSZ067N06LS3 BSZ67N6LS3GXT G SP000451080
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ067N06LS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRF10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100 Volt 10A Dual Common-Cathode
1:¥13.0628
10:¥10.8367
100:¥8.3733
500:¥7.3224
1,000:¥6.9721
参考库存:4998
S6016R
Littelfuse
分立半导体
SCR 16A 600V
1:¥13.5261
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
参考库存:4520
FQI50N06TU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 60V N-Channel QFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
参考库存:8372
MURHB840CTT4G
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 400V 8A Ultrafast
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9269
800:¥5.4805
参考库存:9734
BZX79B22 R0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 500mW 2%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02152
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:51311

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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