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分立半导体
SISS06DN-T1-GE3参考图片

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SISS06DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6048
560.48
500
¥4.8251
2412.55
3,000
¥3.5482
10644.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
172.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
65.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
95 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，SISS06DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SF1005GHC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 10A, 300V, 35NS, , DUAL RECTIFIER
1:¥7.458
10:¥6.8365
100:¥5.2997
500:¥3.9211
2,000:¥2.6329
4,000:查看
参考库存:52498
DBLS106GHRD
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1A,800V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.7459
500:¥2.0114
1,000:¥1.5142
1,500:¥1.3899
参考库存:52503
BZT55B75 L1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 75 Volt 500mW 2%
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:52508
SRAS2030HRN
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,30V, SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥9.605
10:¥8.5315
25:¥7.6049
100:¥6.7122
800:¥4.1132
2,400:查看
参考库存:52513
MMSZ5260B RHG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 43V
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥0.89948
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.32318
参考库存:52518

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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