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分立半导体
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CSD18563Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V NCh NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6106
861.06
250
¥8.6106
2152.65
500
¥7.5823
3791.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
116 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.75 mm
系列
CSD18563Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
NexFET Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
TPS40170EVM-597
下降时间
1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.4 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
单位重量
86.200 mg
商品其它信息
优势价格，CSD18563Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADC114EUQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 3K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:349958
PZU11B3A,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 40W SGL 200mA 11.56V Single Zener diodes
1:¥2.7685
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:19960
BZX384B62-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 62 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
3,000:¥0.43844
6,000:查看
参考库存:29383
AZ23B33-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 0.3W 2% CA AUTO
1:¥3.1527
10:¥1.7402
100:¥0.9379
500:¥0.75258
15,000:¥0.4068
参考库存:29388
BZT52B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.5W 2% AUTO
1:¥2.7685
10:¥1.7967
100:¥0.88366
500:¥0.75258
3,000:¥0.44522
6,000:查看
参考库存:29393

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    50万现货SKU

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