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分立半导体
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CXDM3069N TR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30Vds N-Ch Enh FET 12Vgs 40A 1.2W 6.9A
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1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.7291
57.291
100
¥3.9776
397.76
1,000
¥2.9493
2949.3
2,000
¥2.4973
4994.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.9 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CXDM
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Central Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
CXDM3069N PBFREE TR
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，CXDM3069N TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1N1345C
Microsemi
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100:¥214.3045
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Microsemi
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100:¥298.2183
250:¥278.3868
参考库存:38274

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