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分立半导体
SIR638DP-T1-RE3参考图片

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SIR638DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2207
3610.35
1,000
¥5.9777
5977.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
730 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
204 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAKTrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
147 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
6000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIR638DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S2DA F3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A, 200V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
1:¥4.6895
10:¥4.2262
100:¥2.7685
1,000:¥0.92999
1,800:¥0.7684
参考库存:31908
1N4759A R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 62V, 5% ZENER DIODE
1:¥4.3844
10:¥3.1527
100:¥1.8419
1,000:¥0.77631
5,000:¥0.67574
参考库存:31913
HT16G R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A,600V, GP HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥4.8364
10:¥4.4522
100:¥2.8928
1,000:¥0.96841
5,000:¥0.79891
参考库存:31918
US1AHR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A,50V, ULTRAFAST SMD RECTIFIER
1:¥4.9946
10:¥4.5313
100:¥2.9606
1,000:¥0.99101
1,800:¥0.81473
参考库存:31923
SF44G R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 4A, 200V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥2.9606
500:¥2.1696
1,250:¥1.6385
2,500:¥1.5029
参考库存:31928

  • 海量现货

    50万现货SKU

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