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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220AC-2
If - 正向电流	15 A
Vrrm - 重复反向电压	650 V
Vf - 正向电压	1.35 V at 15 A
Ifsm - 正向浪涌电流	52 A
配置	Single
技术	SiC
Ir - 反向电流	3 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
系列	SCS2x
封装	Tube
工作温度范围	- 55 C to + 175 C
类型	Silicon Carbide Schottky Diode
商标	ROHM Semiconductor
Pd-功率耗散	110 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	1000
子类别	Diodes & Rectifiers
trr - 反向恢复时间	18 ns
Vr - 反向电压	650 V
零件号别名	SCS215AG
单位重量	2.300 g

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STB34N50DM2AG	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package	1:¥29.8885 10:¥25.3572 100:¥21.9785 250:¥20.905 1,000:¥15.7522 2,000:查看	参考库存:2062
BSP315P H6327	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3	1:¥5.3788 10:¥4.4748 100:¥2.8815 1,000:¥2.3052	参考库存:44684
V20PW45HM3/I	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified	1:¥7.5258 10:¥6.2037 100:¥4.7573 500:¥4.0906 1,000:¥3.5934 4,500:¥3.5934	参考库存:24286
APT40GR120S	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8	1:¥77.7666 10:¥70.0035 25:¥63.7772 50:¥59.3928	参考库存:2588
DMG1012T-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523	1:¥2.2261 10:¥1.5255 100:¥0.63732 1,000:¥0.43844 3,000:¥0.33787	参考库存:988470