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分立半导体
PXAC241702FC-V1-R0参考图片

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PXAC241702FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥597.1259
29856.295
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC241702FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX1048A
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.311
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:10526
CPH6001A-TL-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥4.2262
10:¥3.2318
100:¥1.7628
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1526
参考库存:30358
FQPF33N10
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥11.9102
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0851
参考库存:18250
IRF7665S2TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET 100V DIGITAL AUDIO 1 N-CH HEXFET
1:¥8.9157
10:¥7.571
100:¥5.8195
500:¥5.1415
4,800:¥3.6047
9,600:查看
参考库存:21747
BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
5,000:¥2.938
10,000:查看
参考库存:25514

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    50万现货SKU

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