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分立半导体
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IKW50N65ES5

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数量单价合计
1
¥43.2564
43.2564
10
¥36.725
367.25
100
¥31.8095
3180.95
250
¥30.1936
7548.4
500
¥27.12
13560
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
274 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65ES5XKSA1 SP001319682
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW50N65ES5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMDPB30XN,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET PMDPB30XN/HUSON6/REEL 7" Q1/T1
1:¥4.068
10:¥3.4917
100:¥2.0001
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.4238
参考库存:39343
2N3972
InterFET
分立半导体
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 1.7mW
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:2755
BAS70W-06-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 70V 200mW
1:¥2.9945
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:27227
2N4905
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥64.2405
10:¥63.6981
25:¥58.0142
100:¥52.3303
参考库存:2679
FTZ5.6ET148
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 5.6V 200MW
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8306
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:29746

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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