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分立半导体
SIHA120N60E-GE3参考图片

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SIHA120N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220
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库存:2,928(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.567
40.567
10
¥33.5836
335.836
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.8149
6703.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格,SIHA120N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5029
12,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
参考库存:37508
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥6.328
4,500:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:37513
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5029
12,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
参考库存:37518
分立半导体
整流器 1000 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM
10,000:¥0.83733
24,000:¥0.7684
参考库存:37523
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
10:¥859.0712
30:¥841.0138
100:¥798.9778
参考库存:37528
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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