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分立半导体
MMDT4401-7-F参考图片

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MMDT4401-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW
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1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.75 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMDT44
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.6 A
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，MMDT4401-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S3ABHR5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A, 50V, GLASS PASSIVATED SMB RECTIFIER
3,400:¥0.78422
4,250:¥0.73789
9,350:¥0.67574
24,650:¥0.65314
参考库存:38166
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak
150:¥1,327.8743
参考库存:38171
SK36A R3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,60V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
3,600:¥0.82264
9,000:¥0.791
参考库存:38176
RS1DLHR2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 200V, GP SMF FAST RECOVERY
15,000:¥0.46895
22,500:¥0.42262
45,000:¥0.37629
97,500:¥0.35369
参考库存:38181
SBS24HRGG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,40V, THIN MINI SCHOTTKY BRIDGE RECT.
5,000:¥1.5707
参考库存:38186

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    50万现货SKU

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