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分立半导体

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DMN2080UCB4-7

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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
43 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
7.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
816 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
268 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
1245 ns
典型接通延迟时间
152 ns
商品其它信息
优势价格，DMN2080UCB4-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF3205ZPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0851
500:¥6.2602
1,000:¥4.9494
参考库存:17565
SI4946BEY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
1:¥10.7576
10:¥9.4468
100:¥7.458
500:¥5.8195
2,500:¥5.8195
参考库存:44397
BSC052N03LS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
5,000:¥2.9154
参考库存:61694
STD7ANM60N
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
1:¥10.6785
10:¥9.0626
100:¥7.006
500:¥6.1924
2,500:¥4.3392
10,000:查看
参考库存:21491
FDMS3686S
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:29223

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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