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分立半导体
PTFB210801FA-V1-R250参考图片

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PTFB210801FA-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：27,433(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥383.6576
95914.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB210801FA-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMNH10H028SK3-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
2,500:¥4.6104
参考库存:13113
PMV27UPEAR
Nexperia
分立半导体
MOSFET PMV27UPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥2.7685
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:69050
SBR2065D1-13
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 65Vrrm 0.4mA 0.63Vf 140Ifsm SBR
1:¥6.7574
10:¥5.6274
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.9154
参考库存:23467
BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LV POWER MOS
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5597
500:¥6.6896
1,000:¥5.2771
5,000:¥5.2771
参考库存:13889
MBRD20100CT-13
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A Dual SBR 100Vrrm 150Ifsm 0.84
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.9097
参考库存:99771

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    50万现货SKU

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