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分立半导体
IPP05CN10N G参考图片

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IPP05CN10N G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2
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数量单价合计
1
¥26.0465
26.0465
10
¥22.1254
221.254
100
¥19.21
1921
250
¥18.2156
4553.9
500
¥16.2946
8147.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
IPP05CN10NGXKSA1 IPP5CN1NGXK SP000680814
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP05CN10N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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