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分立半导体
DMNH10H028SK3-13参考图片

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DMNH10H028SK3-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.29 mm
长度
6.58 mm
系列
DMNH10H0
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.1 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.8 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,DMNH10H028SK3-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.28476
24,000:¥0.26894
45,000:¥0.25312
99,000:¥0.2147
参考库存:43432
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10,000:¥0.86106
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10,000:¥0.43844
20,000:¥0.4068
50,000:¥0.3616
100,000:¥0.35369
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10,000:¥0.13786
20,000:¥0.13108
50,000:¥0.11526
100,000:¥0.09266
参考库存:43447
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    50万现货SKU

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