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分立半导体
FF225R12ME4参考图片

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FF225R12ME4

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库存:2,161(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥896.3386
896.3386
5
¥878.7445
4393.7225
10
¥837.782
8377.82
25
¥820.1879
20504.6975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1050 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF225R12ME4BOSA1 SP000405064
商品其它信息
优势价格,FF225R12ME4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥3.2996
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:24059
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.1527
10:¥2.3617
100:¥1.2882
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82942
9,000:¥0.77631
参考库存:44726
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.6785
参考库存:3528
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin
1:¥3.0736
10:¥2.1583
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.65314
参考库存:39665
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6
1:¥37.3465
10:¥31.7304
100:¥27.5042
250:¥26.1256
500:¥23.4362
参考库存:3077
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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