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分立半导体
SIHA18N60E-E3参考图片

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SIHA18N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
176 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
46 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，SIHA18N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-160MT140KPBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 1400 Volt 160 Amp
1:¥665.4344
5:¥644.7667
10:¥623.7826
25:¥602.968
参考库存:1609
BCX71J,215
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:121476
VS-20CTQ045-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB
1:¥13.2888
10:¥10.9158
100:¥8.3733
500:¥7.1981
1,000:¥5.6839
参考库存:2528
BUK9K29-100E,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET Dual N-channel 100 V 29 mo FET
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9269
500:¥6.1133
1,000:¥4.8251
1,500:¥4.8251
参考库存:13350
NVMFS5113PLWFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
1,500:¥8.5315
4,500:查看
参考库存:14972

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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