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分立半导体
SIHG11N80E-GE3参考图片

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SIHG11N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:5,903(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.6626
31.6626
10
¥26.2838
262.838
100
¥21.5943
2159.43
250
¥20.905
5226.25
500
¥18.7467
9373.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.5 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG11N80E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 1.5W 200W TVS Zener 9.6mA 37.05 to 40.95
4,000:¥1.4464
12,000:¥1.3447
28,000:¥1.2769
52,000:¥1.243
参考库存:37653
分立半导体
稳压二极管 1.5W 200W TVS Zener 55.1mA 6.46 to 7.14
2,400:¥2.7459
3,200:¥2.3165
10,400:¥2.2261
25,600:¥2.147
参考库存:37658
分立半导体
整流器 1A, 200V, GP SMF FAST RECOVERY
15,000:¥0.46895
22,500:¥0.42262
45,000:¥0.37629
97,500:¥0.35369
参考库存:37663
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,100V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥4.3166
4,000:¥4.1132
参考库存:37668
分立半导体
稳压二极管 350mW 2.7Vz 39V 0.05uA 27.3Vr
6,000:¥1.01474
9,000:¥0.95259
24,000:¥0.87575
45,000:¥0.83733
99,000:¥0.80682
参考库存:256790
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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