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射频晶体管
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SD1480

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库存:6,637(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥587.826
587.826
10
¥539.4168
5394.168
25
¥484.092
12102.3
50
¥428.7672
21438.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M111
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,SD1480的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:37275
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain8.5dB 170W VSWR: 2.1
20:¥3,002.749
参考库存:37280
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥85.9026
参考库存:37285
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.7685
10:¥2.2261
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.70738
参考库存:8834
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥3,146.7562
参考库存:4051
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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