QPD1013SR详细信息_QPD1013SR相关参数PDF

射频晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：4,803(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21.8 dB
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	1.7 A
输出功率	178 W
最大漏极/栅极电压	65 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	67 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
应用	Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置	Single Triple Drain
工作频率	1.2 GHz to 2.7 GHz
商标	Qorvo
开发套件	QPD1013EVB01
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，QPD1013SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PD84006L-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic	1:¥69.6984 10:¥63.0088 25:¥60.0934 100:¥52.1721 3,000:¥38.1149	参考库存:13030
BFU610F,115	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Single NPN 15GHz	1:¥3.4578 10:¥2.825 100:¥1.7176 1,000:¥1.3334 3,000:¥1.1413	参考库存:14357
BFU530AR	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.6838 10:¥3.0623 100:¥1.8645 1,000:¥1.4464 3,000:¥1.2317	参考库存:25954
MX0912B251Y	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN	1:¥3,673.9464 2:¥3,371.355 5:¥3,025.575 10:¥2,420.46 25:¥2,334.015	参考库存:35967
3321	Adafruit	射频晶体管	PDF数据手册	显示开发工具 Adafruit Mini Color TFT with Joystick FeatherWing	1:¥191.7158	参考库存:3111