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射频晶体管
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QPD1004SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
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数量单价合计
1
¥615.4884
615.4884
25
¥543.869
13596.725
100
¥480.5551
48055.51
200
¥451.7401
90348.02
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
输出功率
40 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
27.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 MHz to 1200 MHz
系列
QPD1004
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
QPD1004EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
QPD1004
商品其它信息
优势价格，QPD1004SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA030121EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥468.0347
参考库存:38841
MMRF1306HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
1:¥1,342.6208
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
50:¥1,220.8294
参考库存:38846
DME400A
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,452.8119
参考库存:38851
GTVA261701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,097.7385
参考库存:38856
MRF8S9120NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
1:¥410.5516
5:¥398.6414
10:¥390.1212
25:¥373.6684
250:¥331.3386
参考库存:5920

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    50万现货SKU

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