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晶体管

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F4-75R06W1E3

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数量单价合计
1
¥290.9976
290.9976
5
¥287.9918
1439.959
10
¥268.3976
2683.976
25
¥256.3405
6408.5125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
F475R06W1E3BOMA1 SP000257413
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,F4-75R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥2,437.2066
参考库存:30236
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥157.3638
250:¥144.3801
500:¥137.4645
参考库存:30241
晶体管
MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
50:¥42.3411
100:¥40.341
250:¥35.2673
500:¥34.2729
参考库存:30246
晶体管
MOSFET N-Ch 620V 0.34 Ohm 15A SuperMESH 3 2
1:¥39.6517
10:¥33.6514
100:¥29.1992
250:¥27.6624
参考库存:6096
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥122.8649
250:¥112.0282
500:¥104.8075
参考库存:30253
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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