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晶体管
FB30R06W1E3参考图片

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FB30R06W1E3

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库存:2,649(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥283.3136
283.3136
5
¥280.3869
1401.9345
10
¥261.3351
2613.351
25
¥249.5718
6239.295
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
39 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
115 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FB30R06W1E3BOMA1 SP000307549
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FB30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SW 600mA 60V
1:¥3.4578
10:¥2.2826
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
2,000:¥0.56839
参考库存:43797
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,500:¥4.0341
9,000:查看
参考库存:3599
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
5,000:¥4.7573
参考库存:24726
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
1:¥2.9945
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:85428
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 40V 100MA
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
参考库存:23940
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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