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晶体管
IPP034N03L G参考图片

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IPP034N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:5,823(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.6162
761.62
500
¥6.7348
3367.4
1,000
¥5.3223
5322.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
零件号别名
IPP034N03LGXKSA1 IPP34N3LGXK SP000680772
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP034N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥7.0738
10:¥5.6952
100:¥4.3166
500:¥3.5708
1,000:¥2.8589
3,000:¥2.5877
参考库存:37947
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.6785
参考库存:4939
晶体管
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥7.5258
10:¥6.2037
100:¥4.7573
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
3,000:¥3.2318
参考库存:67696
晶体管
IGBT 晶体管 To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control l
1:¥47.5617
10:¥40.4201
100:¥35.0413
250:¥33.2672
500:¥29.8094
参考库存:2748
晶体管
MOSFET PCH 1.8A 60V 4V DRIVE
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:46480
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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